10755
FGA20N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | TO-3PN |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 298 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 40 A |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Наличие встроенного диода | Да |
Данный товар поставлен не напрямую с завода изготовителя и возможно эксплуатировался. Однако является полностью работоспособным.
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) - 1200В
Максимальный ток коллектора транзистора (Ic) при 100 °C. - 20А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uce) - 1.6В
Максимальная мощность (Pd) при 100 °C. - 120Вт
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.