Восстановлен FGA20N120 Транзистор

FGA20N120 Транзистор
(Отреставрированный)

10755

FGA20N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 693 тг

630 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-3PN
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт298 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А40 A
Рабочая температура, °C+150°C
Наличие встроенного диодаДа

Подробнее

Данный товар поставлен не напрямую с завода изготовителя и возможно эксплуатировался. Однако является полностью работоспособным.

Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) - 1200В
Максимальный ток коллектора транзистора (Ic) при 100 °C. - 20А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uce) - 1.6В
Максимальная мощность (Pd) при 100 °C. - 120Вт


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FGA20N120 Транзистор

FGA20N120 Транзистор

FGA20N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором

Напишите свой отзыв