Корзина: Товар Товаров 0 (пусто)
0 тг Итого
Добавлено в корзину
Количество
Итого
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Итого товаров: (включая налог)
Итого за доставку (без НДС) Самовывоз
GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600В, 50А, 230Вт
18190
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Этого товара нет в наличии
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | IGBT с диодом |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 230 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
| Рабочая температура, °C | +175°C |
| Наличие встроенного диода | Да |
Подробнее
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
Спецификация:
- Тип корпуса: TO-3PN;
- Тип подключения: Контакты для пайки;
- Структура транзистора: IGBT;
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic): 50 A;
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В;
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.55 В;
- Рассеиваемая мощность: 230 Вт;
- Рабочая температура: от -55°C до +175°C;
- Габариты: 40х15х5 мм.
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.