G30N60, IGBT Транзистор

Артикул 10857

G30N60 - IGBT транзистор 63A, 600В, TO-247

Тип продукции	IGBT транзистор
Тип корпуса	TO-247
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт	208 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А	63 А
Рабочая температура, °C	от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода	Нет

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину