G30N60, IGBT Транзистор

10857

G30N60 - IGBT транзистор 30A, 600V, TO-247

								
							
Цена по прайсу: 1 166 тг

1 060 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Мощность, Вт200 Вт
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А30 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В600 В
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5 В
Управляющее напряжение, В463 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

G30N60, IGBT Транзистор

G30N60, IGBT Транзистор

G30N60 - IGBT транзистор 30A, 600V, TO-247

Напишите свой отзыв