IGBT транзистор STGD18N40LZT4, 390 В, DPAK (TO-252)

STGD18N40LZT4 — специализированный силовой IGBT-транзистор автомобильного класса производства STMicroelectronics. Компонент разработан на технологии PowerMESH и предназначен прежде всего для управления первичной обмоткой катушек электронного зажигания в условиях высоких импульсных нагрузок и повышенной температуры.

Транзистор имеет встроенное ограничение напряжения коллектор–эмиттер: типовое напряжение клампирования составляет 390 В, а гарантированный диапазон — 360–420 В. Максимальный непрерывный ток коллектора, указанный ST, составляет 30 А при температуре корпуса 100°C, а импульсный ток — до 40 А.

Для управления используется затвор логического уровня. При VGE = 4,5 В и IC = 10 А максимальное напряжение насыщения VCE(sat) составляет 1,7 В. Микросхема также имеет встроенный резистор затвора, резистор затвор–эмиттер, ESD-защиту и высоковольтный кламп между затвором и коллектором. Это уменьшает количество внешних защитных компонентов.

Устройство рассчитано на высокую энергию одиночного импульса SCIS: 180 мДж при TC = 150°C и 300 мДж при TC = 25°C при индуктивности 3 мГн. Компонент имеет автомобильную квалификацию AEC-Q101.

Характеристики

• Производитель: STMicroelectronics
• Модель: STGD18N40LZT4
• Тип: IGBT-транзистор
• Технология: PowerMESH
• Конфигурация: одиночный
• Класс: автомобильный
• Квалификация: AEC-Q101
• Тип управления затвором: Logic Level
• Напряжение клампирования VCES: 390 В тип.
• Диапазон VCES(clamped): 360–420 В
• Максимальный непрерывный ток коллектора: 30 А при TC = 100°C
• Импульсный ток коллектора: 40 А
• VCE(sat): 1,35 В тип., 1,7 В макс. при VGE=4,5 В, IC=10 А
• Пороговое напряжение VGE(th): 1,2–2,3 В
• Полный заряд затвора Qg: 29 нКл тип.
• Входная ёмкость Cies: 490 пФ тип.
• Энергия SCIS при 150°C: 180 мДж
• Энергия SCIS при 25°C: 300 мДж
• ESD Human Body Model: 8 кВ
• Максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт по официальному даташиту ST
• Тепловое сопротивление переход–корпус: 1°C/Вт
• Рабочая температура перехода: −55…+175°C
• Корпус: DPAK / TO-252
• Количество выводов: 3, включая силовую площадку
• Распиновка: 1 — Gate, 2/TAB — Collector, 3 — Emitter
• Маркировка корпуса: GD18N40LZ
• Монтаж: SMD/SMT

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.