ULN2003APG, Микросхема

Спецификации:

Module Configuration: Seven
Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
Power Dissipation Pd: 760 мВт
DC Current Gain: 1000
Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +85°C
Корпус транзистора: DIP
Количество выводов: 16
Маркировка: ULN2003AP
Количество транзисторов: 7
Тип корпуса: DIP
Способ монтажа: Through Hole
Тип транзистора: Power Darlington
Семейство: 2003
Current Ic Continuous a Max: 500 мА
IC Generic Number: 2003
Тип входа: TTL, CMOS 5 В
Входное напряжение максимальное: 5 В
Количество логических функций: 2003
Количество каналов: 7
Выходной ток максимальный: 500 мА
Тип выхода: Open Collector
Выходное напряжение максимальное: 50 В

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.