11898
IRF820 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 500 В |
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 2.5 A |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.