Корзина: Товар Товаров 0 (пусто)
0 тг Итого
Добавлено в корзину
Количество
Итого
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Итого товаров: (включая налог)
Итого за доставку (без НДС) Самовывоз
KHB7D0N65F1 MOSFET
11942
KHB7D0N65F1 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 1.2 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 650 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 7 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 30 В |
| Пороговое напряжение на затворе, В | 30 В |
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.