KHB7D0N65F1 MOSFET

11942

KHB7D0N65F1 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 880 тг

800 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом1.2 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В650 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А7 A
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В30 В
Пороговое напряжение на затворе, В30 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

KHB7D0N65F1 MOSFET

KHB7D0N65F1 MOSFET

KHB7D0N65F1 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв