FQP85N06 MOSFET

10292

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 402 тг

365 тг


Караганда:
       
Алматы:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А85
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В25
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм10
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт160
Крутизна характеристики, S54
Максимальная температура канала (Tj)175
Тип корпусаTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе, В4

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FQP85N06 MOSFET

FQP85N06 MOSFET

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв