FQP85N06 MOSFET

FQP85N06 MOSFET

Артикул: 10292

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Удалите этот товар из моего избранного
Добавьте этот товар к моему избранному
Скачать коммерческое предложение

Подтверждённые характеристики

Количество каналов Номинальное значение	1 Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
Максимальный постоянный ток стока Абсолютный предел	85 А Температура: 25 °C; Предел корпуса; Температура корпуса (TC) Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
MPN производителя Номинальное значение	FQP85N06 Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
Канал MOSFET Номинальное значение	N Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
Тип монтажа Номинальное значение	Монтаж в отверстия Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
Корпус (типоразмер) Номинальное значение	TO-220 Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
Количество выводов Номинальное значение	3 Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
Рассеиваемая мощность Абсолютный предел	160 Вт Температура: 25 °C; Температура корпуса (TC) Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
Семейство товара Номинальное значение	Транзисторы Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11
Rds(on) Максимум	10 мОм Ток стока ID: 42,5 А; Температура: 25 °C; Напряжение затвор–исток VGS: 10 В; Температура корпуса (TC) Документ производителя, стр. 3 · RevC1;2013-11
Технология транзистора Номинальное значение	MOSFET Документ производителя, стр. 2 · RevC1;2013-11

Характеристики

Тип продукции	Полевой транзистор
Тип корпуса	TO-220
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт	160 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом	0.01 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В	60 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В	25 В
Крутизна характеристики, S	54 S
Рабочая температура, °C	+175°C
Максимально допустимый постоянный ток стока \|Id\|	85 А
Пороговое напряжение включения \|Ugs(th)\|	4 В

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.