10300
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Тип продукции | Полевой транзистор |
Тип корпуса | TO-220AB |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 253 Вт |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.008 Ом |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 55 В |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 15 В |
Рабочая температура, °C | +175°C |
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 125 А |
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 2 В |
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25
Максимальная температура канала (Tj): 150
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.008
Тип корпуса: SOT78
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.