Уважаемые клиенты, сообщаем Вам, что 19 апреля филиал в городе Астана будет работать со сбоями, в связи с отключением электроэнергии.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
10300
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 8.0 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 55 В |
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 25 A |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 15 В |
Пороговое напряжение на затворе, В | 4.5 В |
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25
Максимальная температура канала (Tj): 150
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.008
Тип корпуса: SOT78
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.