BUK9508-55А MOSFET

10300

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 539 тг

490 тг


Караганда:
       
Алматы:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А25
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В15
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм8.0
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт187
Максимальная температура канала (Tj)150
Тип корпусаSOT78
Пороговое напряжение на затворе, В4.5

Подробнее

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25
Максимальная температура канала (Tj): 150
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.008
Тип корпуса: SOT78


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

BUK9508-55А MOSFET

BUK9508-55А MOSFET

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв