2SK1019 (2СК1019) MOSFET

10303

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 1 452 тг

1 320 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В450
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А35
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В30
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм200
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт300
Максимальная температура канала (Tj)150
Тип корпусаTO3PL

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

2SK1019 (2СК1019) MOSFET

2SK1019 (2СК1019) MOSFET

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв