10314
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А | 17 |
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В | 10 |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт | 56 |
Крутизна характеристики, S | 42 |
Максимальная температура канала (Tj) | 150 |
Тип корпуса | TO-220AB |
Пороговое напряжение на затворе, В | 4 |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.