IRF9Z34N MOSFET

10314

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 626 тг

569 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции Полевой транзистор
Тип корпуса TO-220AB
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора P-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 68 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом 0.1 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В 20 В
Крутизна характеристики, S 42 S
Рабочая температура, °C +175°C
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| 19 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| 4 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRF9Z34N MOSFET

IRF9Z34N MOSFET

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв