IRF9Z34N MOSFET

10314

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 215 тг

195 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А17
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В10
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм100
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт56
Крутизна характеристики, S42
Максимальная температура канала (Tj)150
Тип корпусаTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе, В4

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRF9Z34N MOSFET

IRF9Z34N MOSFET

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв