Корзина: Товар Товаров 0 (пусто)
0 тг Итого
Добавлено в корзину
Количество
Итого
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Итого товаров: (включая налог)
Итого за доставку (без НДС) Самовывоз
IRF530N MOSFET
10522
IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 110 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 100 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 17 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 10 В |
| Крутизна характеристики, S | 120 S |
| Пороговое напряжение на затворе, В | 4 В |
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.