IRF530N MOSFET

10522

IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 176 тг

160 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом110 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В100 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А17 A
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В10 В
Крутизна характеристики, S120 S
Пороговое напряжение на затворе, В4 В

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRF530N MOSFET

IRF530N MOSFET

IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв