IRF530N MOSFET

10522

IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Рейтинг 
								
							
Цена по прайсу: 264 тг

240 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом110 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В100 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А17 A
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В10 В
Крутизна характеристики, S120 S
Пороговое напряжение на затворе, В4 В

Отзывы

Оценка 
Евгений В 15.12.2022

Транзисторы шляпа полная, нагрузку вобще не держат, кристалл раза в 4 меньше чем в оригинале

    Напишите свой отзыв

    IRF530N MOSFET

    IRF530N MOSFET

    IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

    Напишите свой отзыв