IRF530N MOSFET

10522

IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 176 тг

160 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А17
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В10
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм110
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт79
Крутизна характеристики, S120
Максимальная температура канала (Tj)150
Тип корпусаTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе, В4

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRF530N MOSFET

IRF530N MOSFET

IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв