IRFB17N50L полевой транзистор, N

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами, на один из которых подаётся сильный ток, а на другой подаётся слабый управляющий ток.

Спецификация:

• Наименование прибора: IRFB17N50L;
• Тип транзистора: MOSFET;
• Полярность: N;
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W;
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V;
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V;
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V;
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A;
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C;
• Общий заряд затвора (Qg): 130 nC;
• Время нарастания (tr): 51 ns;
• Выходная емкость (Cd): 325 pf;
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm;
• Тип корпуса: TO-220AB.

Подключение:

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.