IRFB17N50L полевой транзистор, N

15275

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 759 тг

690 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Подробнее

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами, на один из которых подаётся сильный ток, а на другой подаётся слабый управляющий ток.

Спецификация:

  • Наименование прибора: IRFB17N50L;
  • Тип транзистора: MOSFET;
  • Полярность: N;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W;
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V;
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V;
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V;
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A;
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C;
  • Общий заряд затвора (Qg): 130 nC;
  • Время нарастания (tr): 51 ns;
  • Выходная емкость (Cd): 325 pf;
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm;
  • Тип корпуса: TO-220AB.

Подключение:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

IRFB17N50L

Техническая документация

Файлы для загрузки (211.42k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRFB17N50L полевой транзистор, N

IRFB17N50L полевой транзистор, N

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Напишите свой отзыв