FQD30N06 MOSFET

10583

FQD30N06 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 308 тг

280 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом45 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В60 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А22.7 A
Пороговое напряжение на затворе, В4 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FQD30N06 MOSFET

FQD30N06 MOSFET

FQD30N06 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв