FQD30N06 MOSFET

10583

FQD30N06 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 303 тг

275 тг


Караганда:
       
Алматы:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А22.7
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В20
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм45
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт44
Максимальная температура канала (Tj)150
Тип корпусаTO252_DPAK
Пороговое напряжение на затворе, В4

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FQD30N06 MOSFET

FQD30N06 MOSFET

FQD30N06 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв