10644
HFS7N80 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Тип продукции | Полевой транзистор |
Тип корпуса | TO220F |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 56 Вт |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 1.9 Ом |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 800 В |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 30 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 7 А |
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 4.5 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.