HFS7N80 MOSFET

10644

HFS7N80 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 473 тг

430 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции Полевой транзистор
Тип корпуса TO220F
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 56 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом 1.9 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В 30 В
Рабочая температура, °C +150°C
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| 7 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| 4.5 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

HFS7N80 MOSFET

HFS7N80 MOSFET

HFS7N80 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв