HFS7N80 MOSFET

10644

HFS7N80 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 473 тг

430 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииПолевой транзистор
Тип корпусаTO220F
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт56 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом1.9 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В800 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В30 В
Рабочая температура, °C+150°C
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|7 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|4.5 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

HFS7N80 MOSFET

HFS7N80 MOSFET

HFS7N80 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв