HFS7N80 MOSFET

10644

HFS7N80 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 281 тг

255 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В±30
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм1550
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт56
Максимальная температура канала (Tj)300
Тип корпусаTO220F
Пороговое напряжение на затворе, В4.5

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

HFS7N80 MOSFET

HFS7N80 MOSFET

HFS7N80 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв