Уважаемые клиенты, сообщаем Вам что 28 мая филиал в городе Астана не будет работать.
Приносим свои извинения за доставленные неудобства.
10649
STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 22 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 60 В |
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 50 A |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
Пороговое напряжение на затворе, В | 4 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.