10649
STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Тип продукции | Полевой транзистор |
Тип корпуса | TO-220 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 110 Вт |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.018 Ом |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 60 В |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
Крутизна характеристики, S | 18 S |
Рабочая температура, °C | +175°C |
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 50 А |
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 4 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.