STP55NF06 MOSFET

10649

STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 396 тг

360 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции Полевой транзистор
Тип корпуса TO-220
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 110 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом 0.018 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В 20 В
Крутизна характеристики, S 18 S
Рабочая температура, °C +175°C
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| 50 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| 4 В

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

STP55NF06 MOSFET

STP55NF06 MOSFET

STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв