STP55NF06 MOSFET

10649

STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 341 тг

310 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А50
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт110
Максимальная температура канала (Tj)175
Тип корпусаTO-220
Пороговое напряжение на затворе, В4

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

STP55NF06 MOSFET

STP55NF06 MOSFET

STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв