FMV20N50E MOSFET

10749

FMV20N50E Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Этого товара нет в наличии

								
							
Цена по прайсу: 1 100 тг

1 000 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции Полевой транзистор
Тип корпуса TO-220F
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 95 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом 0.31 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В 30 В
Крутизна характеристики, S 22 S
Рабочая температура, °C +150°C
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| 20 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| 3.5 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FMV20N50E MOSFET

FMV20N50E MOSFET

FMV20N50E Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв