FMV20N50E MOSFET

10749

FMV20N50E Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Этого товара нет в наличии

								
							
Цена по прайсу: 913 тг

830 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А20
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В±30
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм310
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт95
Максимальная температура канала (Tj)150
Тип корпусаTO220F
Пороговое напряжение на затворе, В3.5

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FMV20N50E MOSFET

FMV20N50E MOSFET

FMV20N50E Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв