Фильтр
Загрузка ...
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток). При определённой силе управляющего тока, как бы «открывается клапан» и ток с коллектора начинает течь на третий вывод (эмиттер).
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
SI2301DS Транзистор MOSFET (p-канал, -4.7А, -20В, sot23)
Полевой транзистор IRF7313PBF, 2N-канала 30В 6.5А в корпусе SO8
IRFZ44N - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). Хорошие характеристики IRFZ44N дают возможность использовать его для управления мощной нагрузкой. Конечно обязательным элементом будет радиатор способный рассеивать данную мощность для предотвращения выхода из строя транзистора IRFZ44N.
STP80NF55-08 является N-канальным силовыми МОП-транзистором сквозного монтажа от компании STMicroelectronics в корпусе TO-220. Данные МОП-транзисторы изготовлены при помощи процесса Single Feature Size, в результате чего транзистор показывает очень высокую плотность при низком сопротивлении в активном состоянии, надежных лавинных характеристиках и менее...