> Электронные компоненты>Транзисторы

Транзисторы

Скидки

на странице
Показ 409 - 420 из 466 товаров
  • 19 730 тг

    Транзистор – это электронный компонент, который управляет высоким током с помощью низкого. Транзистор еще можно назвать полупроводниковым триодом.

    19 730 тг
    В корзину
    В наличии
  • 19 310 тг

    Транзистор – это электронный компонент, который управляет высоким током с помощью низкого. Транзистор еще можно назвать полупроводниковым триодом.

    19 310 тг
    В корзину
    В наличии
  • 480 тг

    Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

    480 тг
    В корзину
    В наличии
  • 250 тг

    Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

    250 тг
    В корзину
    В наличии
  • 65 600 тг

    IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.

    65 600 тг
    В корзину
    В наличии
  • 20 тг

    Транзистор с NPN переходом

    20 тг
    В корзину
    Нет в наличии
  • 1 510 тг

    Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

    1 510 тг
    В корзину
    Нет в наличии
  • 170 тг

    IRF540 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

    170 тг
    В корзину
    Нет в наличии
  • 1 000 тг

    FMV20N50E Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

    1 000 тг
    В корзину
    Нет в наличии
  • 550 тг

    2SA1507S, 2SC3902S - Биполярные транзисторы с PNP и NPN переходами

    550 тг
    В корзину
    Нет в наличии
  • 1 000 тг

    G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

    1 000 тг
    В корзину
    Нет в наличии
  • 400 тг

    STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А D2PAK

    400 тг
    В корзину
    Нет в наличии
Показ 409 - 420 из 466 товаров