Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
FMV20N50E Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
2SA1507S, 2SC3902S - Биполярные транзисторы с PNP и NPN переходами
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247
G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
FGH60N60SFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
IRL3705NPBF, Транзистор, N-канал 55В 89А [TO-220AB]
Пара комплементарная NJW0281G+NJW0302G для выходных каскадов УНЧ
GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором
KSH13009AL Мощный биполярный транзистор на 400В, 12А
КТ815Б (BD135), Транзистор NPN 50В 1.5А 10Вт TO-126 (КТ-27)