Уважаемые клиенты, поздравляем Вас с предстоящим праздником и сообщаем, что 30, 31 августа и 1 сентября, интернет-магазин и все офисы работать не будут.
Желаем хорошо отдохнуть и приносим извинения за возможные неудобства.
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
Транзистор – это электронный компонент, который управляет высоким током с помощью низкого. Транзистор еще можно назвать полупроводниковым триодом.
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
FMV20N50E Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
IRFP460PBF - Транзистор, N-канал 500В 20А TO-247AC
G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
IRFP32N50 Транзистор. Корпус: TO-247AC, инфо: MOSFET N-канал 500В/ 32А/460Вт/0.135 Ом
Транзистор RJP63K2 - N Канал, IGBT, 630V, 35A, TO-263
GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором
KSH13009AL Мощный биполярный транзистор на 400В, 12А