Индуктивный датчик - это...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
IGBT транзистор - трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Высокочастотные транзисторы – биполярные транзисторы, предназначенные для работы в диапазонах высоких и сверхвысоких частот (от единиц мегагерц до десятков гигагерц). В схемах, работающих на таких частотах, к комплектующим предъявляются особые требования по точности параметров и величине паразитной ёмкости.
IRFP32N50 Транзистор. Корпус: TO-247AC, инфо: MOSFET N-канал 500В/ 32А/460Вт/0.135 Ом
КТ816В (BD236), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)