Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 4 сентября, филиал в городе Астана будет работать с 11:00.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IGBT транзистор - трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Высокочастотные транзисторы – биполярные транзисторы, предназначенные для работы в диапазонах высоких и сверхвысоких частот (от единиц мегагерц до десятков гигагерц). В схемах, работающих на таких частотах, к комплектующим предъявляются особые требования по точности параметров и величине паразитной ёмкости.
Биполярный транзистор с изолированным затвором - это трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
NEC 2SK3479 MOSFET Транзистор, N-канал, 100V. 83A. TO-263
STP60NF06FP Транзистор MOSFET, N-канал, 60V, 30A TO220FP
Транзистор 2SK3711 имеет высокий уровень тока передачи ( до 70А) и низкий уровень сопротивления (5мОм)