Друзья, филиал в г. Астане закрыт с 25 июня 2026г.
Доставка работает во все города.
Самовывоз можно забрать только из г. Караганды.
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
FMV20N50E Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
2SA1507S, 2SC3902S - Биполярные транзисторы с PNP и NPN переходами
IRLML0030 - Транзистор MOSFET 30В 5.3А 0.027Ом SOT-23
IRFP460PBF - Транзистор, N-канал 500В 20А TO-247AC
Р-канальный МОП-транзистор 2SJ653 обладает следующими особенностями: Низкое сопротивление.Сверхбыстрая скорость переключения
G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
STW18NK80Z - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
IRFP32N50 Транзистор. Корпус: TO-247AC, инфо: MOSFET N-канал 500В/ 32А/460Вт/0.135 Ом