Уважаемые клиенты, поздравляем Вас с предстоящим праздником и сообщаем, что 30, 31 августа и 1 сентября, интернет-магазин и все офисы работать не будут.
Желаем хорошо отдохнуть и приносим извинения за возможные неудобства.
Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
Полевой N-канальный транзистор с низким напряжением затвора.
STGD18N40LZ биполярный транзистор с изолированным затвором. Транзистор имеет защиту на канале затвор-эмиттер.
G75H603 IGBT транзистор 600 V, 140 A, TO-247. Аналог IGW75N60H3
Набор транзисторов 24 вида TO-92
IRG4BC20KD-S - IGBT Транзистор с N каналом
Используя технологию NPT, IGBT транзистор ON Semiconductor обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия AN предлагает решение для использования в области управления двигателем, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).
IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике. Срок поставки 35-45 дней.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Внимание! Данный товар является Б/У, однако проверен и...
Данный биполярный транзистор MJD3055G предназначен для усилителей общего назначения и низкоскоростных коммутационных систем.
Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей - электронами и дырками.