Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 19 апреля, филиал в городе Алматы, не будет работать, в связи с отключением электричества.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IXFP20N50P3 транзистор, MOSFET N - канал, 500V, 20A, TO-220
FQP 5N60C, Транзистор, QFET, N-канал 600В 2.8А [TO-220F]
FZT951 PNP, 60 В, 120 МГц, 3 Вт, -5 А, 200 hFE. TO236
STP75NF75 - MOSFET Транзистор, N-канал, 75V, 75A.
Полевой N-канальный транзистор с низким напряжением затвора.
STGD18N40LZ биполярный транзистор с изолированным затвором. Транзистор имеет защиту на канале затвор-эмиттер.
IRG4BC20KD-S - IGBT Транзистор с N каналом
UMX1N - Биполярный высокочастотный npn транзистор
IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике. Срок поставки 35-45 дней.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Внимание! Данный товар является Б/У, однако проверен и...