Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Уважаемые клиенты, поздравляем Вас с Днём Независимости Республики Казахстан!
Сообщаем вам, что 16 декабря все наши магазины не будут работать.
В связи с выходными у курьерских компаний - заказы будут отправлены 17 декабря.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
16149
Данный биполярный транзистор MJD3055G предназначен для усилителей общего назначения и низкоскоростных коммутационных систем.
Этого товара нет в наличии
Будет доступен:
| Тип продукции | Биполярный транзистор |
| Тип корпуса | TO-252 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | NPN |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 20 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 70 В |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 60 В |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 10 A |
| Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 20 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 2 МГц |
| Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
Биполярный транзистор — это трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками
Спецификация:
Функциональная схема:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.