16149
Данный биполярный транзистор MJD3055G предназначен для усилителей общего назначения и низкоскоростных коммутационных систем.
Будет доступен:
Тип продукции | Биполярный транзистор |
Тип корпуса | TO-252 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 20 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 70 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 60 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 10 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 20 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 2 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Биполярный транзистор — это трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками
Спецификация:
Функциональная схема:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.