TLP521-4 - Оптопара или оптрон —...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
SI2301DS Транзистор MOSFET (p-канал, -4.7А, -20В, sot23)
2SC9014 - кремниевый NPN-транзистор, предназначенный для предварительных усилителей, работающих с низким уровнем сигнала и низким уровнем шума. Он часто используется в схемах усиления и коммутации.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток). При определённой силе управляющего тока, как бы «открывается клапан» и ток с коллектора начинает течь на третий вывод (эмиттер).
B80NF03L-04 MOSFET Транзистор N-канал, 30 В, 80 А, 0.045 Ом, TO-263
КТ3107В, Транзистор PNP 30В 0.1А 0.3Вт 250Мгц TO92 (КТ-26)
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).