В данной категории вы найдете, различные электронные компоненты такие как: резисторы, конденсаторы, тразисторы диоды и другие микросхемы и элементы.
IRFZ48N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
КТ819Г, Биполярный транзистор, NPN, 100В, 10А, 60Вт, 3МГц (КТ-28 / TO-220)
МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами, МДП-транзисторами или транзисторами с изолированным затвором.
HYG013N03LS1C2 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для работы в низковольтных приложениях с высокими токами.
Диодный мост — электрическая схема, предназначенная для преобразования («выпрямления») переменного тока в пульсирующий
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
ATMEGA8A-PU 8-битный микроконтроллер в PDIP-28 корпусе