Светодиодная лента используется для...
В данной категории вы найдете, различные электронные компоненты такие как: резисторы, конденсаторы, тразисторы диоды и другие микросхемы и элементы.
Транзистор FQA38N30 - в корпусе TO3P MOSFET 290 ВТ, 38,4А, 300В
MOC3061M, Оптопара с симисторным выходом 600В, переключение при переходе через ноль [DIP-6]
MJ802 Транзистор, NPN 100В 30А [TO-3]
Стабилитроны 1N4728A кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3.3 В
Тиристор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние — состояние низкой проводимости, открытое состояние — состояние высокой проводимости.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Микросхема — электронная схема произвольной сложности, изготовленная на полупроводниковой подложке и помещённая в неразборный корпус или без такового в случае вхождения в состав микросборки.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.