В данной категории вы найдете, различные электронные компоненты такие как: резисторы, конденсаторы, тразисторы диоды и другие микросхемы и элементы.
KHB7D0N65F1 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
IRU1150CM, LDO стабилизатор регулируемый 4А 2.7В TO263
IR4426 - драйвер низковольтных, быстродействующих МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов.
LM5118 Интегральный DC-DC преобразователь HTSSOP-20, 10 А, 3...75 В
IRFB4110PBF транзистор MOSFET N-канал, 100В, 180А, TO-220AB
ADM202EA Приемник/передатчик RS-232 с защитой от электростатического разряда 15 кВольт, соответствует требованиям по электромагнитной совместимости и электромагнитному излучению
Оптопара транзисторная CNY17-3 с высоким выходным напряжением пробоя, с транзисторным выходом. Предназначена для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Микросхема — электронная схема произвольной сложности, изготовленная на полупроводниковой подложке и помещённая в неразборный корпус или без такового в случае вхождения в состав микросборки.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).