Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Электронные компоненты
- 3D Принтеры и материалы
- Датчики
- Двигатели
- Игрушки
- Инструменты и материалы
- Измерительные приборы
- Изоляторы
- Инструменты
- Клапаны
- Клеящие материалы
- Корпуса и крепления
- Магниты
- Макетные и монтажные платы
- Маркеры
- Оборудование для пайки
- Органайзеры, ящики
- Провода для макетных плат
- Радиаторы
- Расходные материалы
- Создание печатных плат
- Тросы и канаты
- Углеволокно
- Фрезы и сверла
- Фурнитура для сувениров
- Шланги
- Книги
- Механика
- Модули для 3D принтеров
- Обучающие наборы
- Осветители и индикаторы
- Отладочные платы
- Пневматика
- Поля для соревнований
- Провода, разъемы и адаптеры
- Прочая электроника и аксессуары
- Радиоуправляемые модели
- Реле, контакторы
- Советские радиодетали
- Сувенирная продукция
- Услуги
- ЧПУ станки
- Электрика
- Электронные блоки и узлы
- Электронные компоненты
- Элементы питания
-
Натуральный ASA пластик Bestfilament 0.5 кг (1,75 мм) для 3D-принтеров
Наличие 3D принтера открывает двери...
8 200 тг 9 400 тг
170 тгTDA2030A Усилитель звука
TDA2030 является достаточно популярной и дешевой микросхемой позволяющей построить качественный усилитель для бытовых нужд. Может работать как от двухполярного, так и однополярного источника питания.
170 тгВ наличии
900 тгВосстановленIRFP240 MOSFET
(Отреставрирован)IRFP240 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
900 тгВ наличии
1 320 тгSTW18NK80Z MOSFET
STW18NK80Z - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
1 320 тгВ наличии
1 210 тгLM193AN Компаратор
LM193AN, Двойной дифференциальный компаратор, маломощный, с малым напряжением смещения, DIP-8
1 210 тгВ наличии
280 тг
560 тг
290 тг
140 тг
1 705 тгRJH60F5DPQ Транзистор
RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
1 705 тгВ наличии
1 670 тгXR2206CP Микросхема
XR2206CP - Генератор импульсов 0.01Гц - 1МГц, 20ppm/°C, 0...70°C
1 670 тгВ наличии
430 тг74HCT86D Микросхема
74HCT86D - XOR Gate, HCT Серия, 4 Канала, 2 Входа, 4 mA, 4.5V to 5.5V, SOIC-14
430 тгВ наличии
2 185 тгIRFP4368PBF N-канал 75В 350А
IRFP4368PBF, Транзистор, N-канал 75В 350А [TO-247AC]
2 185 тгВ наличии