Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Уважаемые клиенты, поздравляем Вас с Днём Независимости Республики Казахстан!
Сообщаем вам, что 16 декабря все наши магазины не будут работать.
В связи с выходными у курьерских компаний - заказы будут отправлены 17 декабря.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Инфракрасный датчик движения HC-SR501 используется для обнаружения в контролируемой зоне движения объектов, которые излучают инфракрасное излучение (тепло). Принцип работы датчика основан на пироэлектричестве.
Коннектор XT60 - являются отличной заменой коннекторам Deans T-типа. Разъемы ХТ60 обеспечивают надежное соединение при больших и продолжительных токах нагрузки
MB6S - диодный мост 0,5А 600В в пластиковом корпусе с выводами для поверхностного SMD монтажа на печатную плату.
Наконечник кольцевой (под болт, винт) с изоляцией RVS1.25-5 применяется для оконцовки медных кабелей и проводов. Монтаж производится методом опрессовки.
Зарядное устройство для литиевых и литиево-полимерных батарей TP4056 1A, напряжение полной зарядки 4.2В, вход Micro USB 4.5 - 5.5В.
Соединитель UY2 предназначен для сращивания жил кабелей типа ТП диаметром от 0.4 до 0.7 мм и любым типом изоляции до 2.08 мм. Соединитель заполнен гидрофобным заполнителем, предотвращающим проникновение влаги в контакты. Не требует зачистки изоляции, ускоряет и упрощает процесс сращивания пар.
Этот драйвер по своим рабочим характеристикам ничем не отличается от всех остальных драйверов на L298N. С помощью него можно так же управлять двумя двигателями постоянного тока (с поддержкой ШИМ) или одним шаговым двигателем.
Батарейные отсеки представляют собой пластиковый корпус с гнездами для одной или нескольких батарей. Они используются для монтажа внутри корпуса прибора. Батарейные отсеки могут монтироваться с помощью проводов, металлических клипс или пайкой на плату.
IRF540 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).