H649A, PNP транзистор

Артикул 11636

H649A, PNP транзистор в корпусе TO-126ML

Структура транзистора	PNP
Рассеиваемая мощность, Вт	20 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	180 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	160 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	1.5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	140 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В