11636
H649A, PNP транзистор в корпусе TO-126ML
Будет доступен:
Тип продукции | Биполярный транзистор |
Тип корпуса | TO-126ML |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | PNP |
Рассеиваемая мощность, Вт | 20 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 180 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 160 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 1.5 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 60 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 140 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.