H649A, PNP транзистор

11636

H649A, PNP транзистор в корпусе TO-126ML

								
							
Цена по прайсу: 242 тг

220 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Структура транзистораPNP
Рассеиваемая мощность, Вт20 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В180 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В160 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А1.5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц140 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В5 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

H649A, PNP транзистор

H649A, PNP транзистор

H649A, PNP транзистор в корпусе TO-126ML

Напишите свой отзыв

Сопутствующие товары