H669A, NPN транзистор

11637

H669A, NPN транзистор в корпусе TO-126ML

								
							
Цена по прайсу: 242 тг

220 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Структура транзистораNPN
Рассеиваемая мощность, Вт20 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В180 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В160 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В5 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

H669A, NPN транзистор

H669A, NPN транзистор

H669A, NPN транзистор в корпусе TO-126ML

Напишите свой отзыв

Сопутствующие товары