MJD127 Биполярный транзистор дарлингтона,-100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А

12606

MJD127 Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А, 100 hFE

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 110 тг

100 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Структура транзистораPNP
Рассеиваемая мощность, Вт20 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В100 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А8 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)100
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц4 МГц

Подробнее

Максимальная Рабочая Температура: 150°C
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

MJD127 Биполярный транзистор дарлингтона,-100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А

MJD127 Биполярный транзистор дарлингтона,-100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А

MJD127 Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А, 100 hFE

Напишите свой отзыв