MJD127 Биполярный транзистор дарлингтона,-100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А

Артикул 12606

MJD127 Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А, 100 hFE

Тип продукции	Биполярный транзистор
Тип корпуса	TO-251
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	PNP
Рассеиваемая мощность, Вт	20 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	100 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	100 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	8 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	6000
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	4 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В
Рабочая температура, °C	+150°C

Максимальная Рабочая Температура: 150°C
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Datasheet - MJD127

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину