15032
Кремниевый эпитаксиально-планарный составный биполярный транзистор (транзистор Дарлингтона) с интегральными демпфирующим и базо-эмиттерным ускоряющими диодами.
Будет доступен:
Тип продукции | Биполярный транзистор |
Тип корпуса | КТ-28 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 330 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 150 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 8 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 100 |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 6 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Предназначен для работы в выходных ступенях горизонтальной развертки малогабаритных черно-белых электронно лучевых трубок, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Предельно допустимые электрические режимы КТ8156
Схема:
Производитель Интеграл
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.