Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 13 декабря, филиал в городе Алматы не будет работать.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
15032
Кремниевый эпитаксиально-планарный составный биполярный транзистор (транзистор Дарлингтона) с интегральными демпфирующим и базо-эмиттерным ускоряющими диодами.
Будет доступен:
| Тип продукции | Биполярный транзистор |
| Тип корпуса | КТ-28 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | NPN |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 330 В |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 150 В |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 8 A |
| Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 100 |
| Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 6 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
Предназначен для работы в выходных ступенях горизонтальной развертки малогабаритных черно-белых электронно лучевых трубок, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Предельно допустимые электрические режимы КТ8156
Схема:
Производитель Интеграл
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.