Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
15032
Кремниевый эпитаксиально-планарный составный биполярный транзистор (транзистор Дарлингтона) с интегральными демпфирующим и базо-эмиттерным ускоряющими диодами.
Будет доступен:
| Тип продукции | Биполярный транзистор |
| Тип корпуса | КТ-28 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | NPN |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 330 В |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 150 В |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 8 A |
| Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 100 |
| Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 6 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
Предназначен для работы в выходных ступенях горизонтальной развертки малогабаритных черно-белых электронно лучевых трубок, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Предельно допустимые электрические режимы КТ8156
Схема:
Производитель Интеграл
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.