16199
Высокочастотные транзисторы – биполярные транзисторы, предназначенные для работы в диапазонах высоких и сверхвысоких частот (от единиц мегагерц до десятков гигагерц). В схемах, работающих на таких частотах, к комплектующим предъявляются особые требования по точности параметров и величине паразитной ёмкости.
Будет доступен:
Тип продукции | Биполярный транзистор |
Тип корпуса | 211-07 |
Тип подключения | Винтовое |
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 100 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 36 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 16 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 8 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 150 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 200 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 4 В |
Рабочая температура, °C | +200°C |
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками.
Спецификация:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.