KT819ГM Транзистор NPN, 15А, 100В, КТ-9

16206

Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей - электронами и дырками

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 1 375 тг

1 250 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииБиполярный транзистор
Тип корпусаКТ-9
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораNPN
Рассеиваемая мощность, Вт100 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В90 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В90 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А15 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)15
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц3 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В5 В
Рабочая температура, °C+150°C

Подробнее

Транзистор (transistor) – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Спецификация:

  • Тип: биполярный транзистор;
  • Модель: KT819ГМ;
  • Структура: NPN;
  • Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э: 100В;
  • Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б: 100В;
  • Максимально допустимый ток: 15A;
  • Статический коэффициент передачи тока: от 12 до 25 мин;
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 3МГц;
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 100Вт;
  • Корпус: КТ-9.

Габариты:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

KT819ГM

Техническая документация

Файлы для загрузки (461.49k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

KT819ГM Транзистор NPN, 15А, 100В, КТ-9

KT819ГM Транзистор NPN, 15А, 100В, КТ-9

Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей - электронами и дырками

Напишите свой отзыв