16271
Изготовлено по технологии плоского базового острова с монолитной конфигурацией Дарлингтона.
Будет доступен:
Тип продукции | Биполярный транзистор |
Тип корпуса | TO-220 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 80 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 80 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 8 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 750 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 20 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток). При определённой силе управляющего тока, как бы «открывается клапан» и ток с коллектора начинает течь на третий вывод (эмиттер).
Спецификация:
Внутренняя принципиальная схема:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.