Транзистор BDX53B, NPN, 80В, 8А, TO-220

16271

Изготовлено по технологии плоского базового острова с монолитной конфигурацией Дарлингтона.

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 539 тг

490 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииБиполярный транзистор
Тип корпусаTO-220
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораNPN
Рассеиваемая мощность, Вт60 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В80 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В80 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А8 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)750
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц20 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В5 В
Рабочая температура, °C+150°C

Подробнее

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток). При определённой силе управляющего тока, как бы «открывается клапан» и ток с коллектора начинает течь на третий вывод (эмиттер).

Спецификация:

  • Структура: NPN;
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80В;
  • Напряжение коллектор-база, не более: 80В;
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5V;
  • Ток коллектора, не более: 8А;
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60Вт;
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750;
  • Корпус: TO-220.

Внутренняя принципиальная схема:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

BDX53B

Техническая документация

Файлы для загрузки (79.66k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

Транзистор BDX53B, NPN, 80В, 8А, TO-220

Транзистор BDX53B, NPN, 80В, 8А, TO-220

Изготовлено по технологии плоского базового острова с монолитной конфигурацией Дарлингтона.

Напишите свой отзыв