Уважаемые клиенты!
Поздравляем вас с предстоящими праздниками и С Днем Победы!
Сообщаем вам, график работы в праздничные дни:
4 мая (суббота) - рабочий день с 9:00 до 18:00 (г. Астана с 9:00 до 19:00).
7, 8, 9 мая - выходные дни.
Желаем вам, отличных выходных!
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
16384
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Будет доступен:
Тип продукции | Биполярный транзистор |
Тип корпуса | TO-3P |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 130 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 900 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 7 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 10 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 6 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 7 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Габариты | 40х16х5 мм |
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками.
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.