КТ812А, Транзистор NPN импульсный, Б/У

Транзисторы КТ812А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Спецификация:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0.1кОм);
• Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В);
• Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4;
• Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0.3 Ом;
• Рабочая температура: от -40°С до +85°С.

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.