BUT11A, силовой NPN-транзистор, TO-220

BUT11A — высоковольтный кремниевый NPN биполярный силовой транзистор, предназначенный преимущественно для работы в ключевых и импульсных схемах.

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор–эмиттер VCEO до 450 В, а максимальное напряжение коллектор–база VCBO составляет 1000 В. Допустимый постоянный ток коллектора — 5 А, кратковременный импульсный ток — до 10 А.

BUT11A отличается высокой допустимой рассеиваемой мощностью — до 100 Вт при температуре корпуса 25 °C — и предназначен для высоковольтной коммутации. Типичными областями применения являются импульсные источники питания, преобразователи напряжения, электронные балласты и другие силовые ключевые схемы.

При токе коллектора 2,5 А и токе базы 0,5 А максимальное напряжение насыщения коллектор–эмиттер составляет 1,5 В. Типовое время включения — около 1 мкс, время спада — около 0,8 мкс.

Корпус TO-220 позволяет устанавливать транзистор на радиатор. Распиновка стандартной версии BUT11A: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер.

Характеристики

• Тип: биполярный силовой транзистор
• Модель: BUT11A
• Полярность: NPN
• Максимальное напряжение коллектор–эмиттер VCEO: 450 В
• Максимальное напряжение коллектор–база VCBO: 1000 В
• Максимальное напряжение эмиттер–база VEBO: 9 В
• Постоянный ток коллектора IC: 5 А
• Импульсный ток коллектора ICP: 10 А
• Максимальный постоянный ток базы: 2 А
• Импульсный ток базы: 4 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 100 Вт
• VCE(sat): до 1,5 В при IC=2,5 А, IB=0,5 А
• VBE(sat): до 1,3 В
• Время включения: 1 мкс тип.
• Время накопления: 4 мкс тип.
• Время спада: 0,8 мкс тип.
• Тепловое сопротивление переход–корпус: 1,25 °C/Вт
• Максимальная температура перехода: +150 °C
• Температура хранения: −65…+150 °C
• Корпус: TO-220
• Количество выводов: 3
• Тип монтажа: THT / выводной
• Распиновка: 1 — Base, 2 — Collector, 3 — Emitter