11520
K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 187 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 60 A |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 В |
Управляющее напряжение, В | 2.4 В |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
Наличие встроенного диода | Да |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.