K30H603 Транзистор

11520

K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком

								
							
Цена по прайсу: 1 056 тг

960 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Мощность, Вт94 Вт
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А30 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В600 В
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.95 В
Управляющее напряжение, В2.4 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +175°C

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

K30H603 Транзистор

K30H603 Транзистор

K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком

Напишите свой отзыв