11520
K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком
Будет доступен:
Мощность, Вт | 94 Вт |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 30 A |
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 В |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 В |
Управляющее напряжение, В | 2.4 В |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.