K30H603 Транзистор

11520

K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком

								
							
Цена по прайсу: 1 210 тг

1 100 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 187 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 60 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 В
Управляющее напряжение, В 2.4 В
Рабочая температура, °C от -55°C до +175°C
Наличие встроенного диода Да

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

K30H603 Транзистор

K30H603 Транзистор

K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком

Напишите свой отзыв