RJP63K2 Транзистор TO-263

11614

Транзистор RJP63K2 - N Канал, IGBT, 630V, 35A, TO-263

								
							
Цена по прайсу: 231 тг

210 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-263
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 25 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 630 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 35 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.9 В
Управляющее напряжение, В 5 В
Рабочая температура, °C от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода Нет

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

RJP63K2 Транзистор TO-263

RJP63K2 Транзистор TO-263

Транзистор RJP63K2 - N Канал, IGBT, 630V, 35A, TO-263

Напишите свой отзыв