GT25Q101, Транзистор

11672

GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором 

Этого товара нет в наличии

								
							
Цена по прайсу: 1 628 тг

1 480 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-264
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт200 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А25 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В4 В
Управляющее напряжение, В6 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C
Наличие встроенного диодаНет

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

GT25Q101, Транзистор

GT25Q101, Транзистор

GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором 

Напишите свой отзыв