11672
GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором
Этого товара нет в наличии
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | TO-264 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 200 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 25 A |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 4 В |
Управляющее напряжение, В | 6 В |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
Наличие встроенного диода | Нет |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.