GT25Q101, Транзистор

Артикул 11672

GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором

Этого товара нет в наличии

Тип продукции	IGBT транзистор
Тип корпуса	TO-264
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт	200 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А	25 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	4 В
Управляющее напряжение, В	6 В
Рабочая температура, °C	от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода	Нет

Добавлено в корзину